高精度，高穩(wěn)定、更安全的新第五代靜電感度儀
本試驗儀是 電火工品靜電感度試驗設(shè)備，用于測量電火工品，電管，火**等靜電感度的精密測量儀器。性能優(yōu)于軍標(biāo)要求，同時符合軍標(biāo)和軍標(biāo)。
全自動放電處理技術(shù)，更換電容器、電阻、改變電源極性、調(diào)節(jié)靜電電壓表量程等操時，自動放電處理技術(shù)，避免了操作人員誤操作的危險靜電，無論操作人員 正常操作還是誤操作，全自動放電處理技術(shù)保證了操作時人員的安全。
高精度， 高分辨率, 準(zhǔn)*度達±0.5%，比*標(biāo)的分辨率高10倍
高壓輸出穩(wěn)定性， 30分鐘漂移不大于±0.5%, 比*標(biāo)的穩(wěn)定性高10倍
高壓開關(guān)：輸出的漏電壓為0V，更安全
預(yù)置的抗人體靜電試驗和靜電感度試驗快捷模式，使用更方便，工作效率更高。
大功率無感脈沖電阻， 高壓無感電容、進口高壓開關(guān)，使用壽命更長、放電波形更好。
*炸箱與主機的距離標(biāo)配為3米
訂貨時，可以根據(jù)需要延長到10米.如果有需要，可以采用抗干擾性強的光纖，可延長到20公里
本試驗儀采用全自動消電安全技術(shù)，符合并優(yōu)于軍標(biāo)電火工品靜電感度要求的技術(shù)指標(biāo)要求和波形時間特征要求，用于測量電火工品，電管，火*-等靜電感度的精密測量儀器。其主要技術(shù)指標(biāo)如精度和穩(wěn)定性比*標(biāo)要求高。
技術(shù)指標(biāo)：
直流高壓電源：輸出電壓0kV～±30.0kV范圍連續(xù)可調(diào),輸出*大電流1mA,精度±0.5%,正負(fù)極性獨立輸出; （華晶匯高精度電源優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)要求±5%的10倍）
空載高壓輸出穩(wěn)定性，當(dāng)輸出30kV以內(nèi)時，30min電壓漂移不 超出輸出值的0.5%, （華晶匯高穩(wěn)定電源優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)±5%的10倍）
高壓開關(guān) ：耐壓30kV以上，當(dāng)開關(guān)未閉合時，高壓輸出的漏電壓為0V，（ 華晶匯全自動放電處理技術(shù) 保證操作人員的安全）
注：標(biāo)準(zhǔn)要求為“高壓輸出的漏電電壓應(yīng)不大于充電電壓的5%”, 例如當(dāng)充電到30kV時，5%的漏電電壓達到1500V!
1500V的漏電電壓對操作人員、對火工品都是相當(dāng)危險的，億艾迪將EST808漏電降到了0V，保證操作人員的安全）。
電容器：耐壓30kV以上，標(biāo)配500pf±25pf, 精度為±5%, 其它值可訂貨， 采用進口無感脈沖電容，保證了電容放電的壽命和準(zhǔn)確度以及波形特證，并便于 隨時檢查和更換電容器;
放電電阻：阻值為5000Ω, 功率為5W,精度為±5%, 采用進口無感脈沖電阻，保證了電容放電的壽命和準(zhǔn)確度以及波形特證，便于 隨時更換和檢查電阻;
靜電電壓表：量程不低于30.0kV, 精度為0.5級高壓輸出顯示：數(shù)字顯示，分辨率達10V, 準(zhǔn)確度達1%
整機放電回路電感值小于5μH。
預(yù)置的抗人體靜電試驗和靜電感度試驗快捷模式，使用方便 快捷，工作效率更高。
全自動放電處理技術(shù)，減少了操作人員在更換電容器、電阻、改變電源輸出極性、調(diào)節(jié)靜電電壓表量程等操時，用專用的絕緣棒進行放電處理，避免了操作人員誤操作的危險靜電，無論操作人員正常操作甚至誤操作，保證了操作時人員的安全的同時，也極大的提高了工作效率。
防護板:防護板滿足危險場所人體防護要求
*爆箱：全鋼結(jié)構(gòu)（帶有觀察窗和泄壓）或全透明兩種任選一個。
選配件：高壓探頭：帶寬不低于75MΩ, 上升速率小于4ns,峰值電壓不低于40kV.
：EST883C型CDM靜電放電模擬
高精度1%和穩(wěn)定性0.1%
（電子元器件CDM靜電放電敏感度試驗）
試驗電壓寬(0～±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩(wěn)定性好(時漂小于0.1%)
符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標(biāo)準(zhǔn)，
過去大家對人體模型(HBM)和機器模型(MM)相當(dāng)重視，而忽視了帶電器件模型(CDM)對器件造成的損壞。近年的研究證明，在自動化程度越來越高，器件本身帶電所造成的損壞遠(yuǎn)多于HBM和MM。IC等器件本身由于接觸分離及摩擦如從管內(nèi)倒出帶電，在接觸或處理器件如由機器手或人取出時會時器件會發(fā)生放電，在流水在線常見的ESD就是典型的CDM靜電放電。CDM與HBM和MM無論在試驗原理方法和程序上都有很大的不同，HBM和MM都是由于IC外部的靜電放電造成IC等器件損壞，通過對人員和設(shè)備接地就能控制HBM和MM的發(fā)生，而CDM是器件對其他物體放電所造成的損壞，從模型的基本理論、測試原理，試驗方法，測試設(shè)備都不同于HBM和MM，而且不可能通過接地來控制CDM, 因而CDM成了近年來電子器件損壞嚴(yán)重、發(fā)生概率大的事件。
EST883C CDM simulator按照新的美標(biāo)準(zhǔn)ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014 （替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F） 設(shè)計的測試CDM的 模擬器，具有試驗電壓寬(±1V～±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩(wěn)定性好(時漂小于0.1%)優(yōu)點。
技術(shù)參數(shù)：
技術(shù)指標(biāo) (符合并優(yōu)于新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014的標(biāo)準(zhǔn)：0-1000V)
試驗電壓：±1V～±1999V （連續(xù)可調(diào)）可從前面板調(diào)節(jié)顯示值
電壓顯示： LED，分辨率：±1V
試驗電壓準(zhǔn)確度：±0.5% ±2字
試驗電壓穩(wěn)定性：0.1%(小時，預(yù)熱30分鐘以后)
電流波形記錄接口，傳輸線特性阻抗50Ω，可接數(shù)字存儲示波器。
電場感應(yīng)板：75*75mm
放電頭移動距離：0～10mm
可更換的放電針
世*通用電源電壓：AC85V～265V/40～65Hz
功耗：約3W, 重量：約3kg
贈送附件
1. CDM校準(zhǔn)模塊 大、小各一個，
符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標(biāo)準(zhǔn)，替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F
2 衰減器：20dB/6GHz,
3. 50歐姆電纜線（Cable）1米
4. 放電探針（PIN）： 不少于4個
5. 探針支架
